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1)闪存芯片读写的基本单位不同
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1 ?) p6 ?( q8 G3 ~' z 应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理，通常将NOR闪存
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( F! c1 q0 i2 g4 w2 U% W分成大小为128KB或者64KB的逻辑块，有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块
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2 I+ u! F3 O7 Y内偏移。应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然7 a: ], }* P) x2 W$ L
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后每块又分成页，页的大小一般是512字节。要修改NAND芯片中一个字节，必须重写整个数据块。
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& \* L& K1 d: w; U& p. S9 i5 H 2）NOR闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；NAND闪存是连续存储介质，适合存放大的
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数据。 2 j4 _; c& _2 X! ]% L/ A2 l
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3) 由于NOR地址线和数据线分开，所以NOR芯片可以像SRAM一样连在数据线上。NOR芯片的使用也) r% w" S* D* J
! f! ]* `) g2 X- p4 A3 }' R类似于通常的内存芯片，它的传输效率很高，可执行程序可以在芯片内执行( XI P, eXecute In
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3 G6 [/ F, q6 a9 T- Y' y9 h; hPlace)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码 读到系统RAM中。由于NOR的这
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个特点，嵌入式系统中经常将NOR芯片做启动芯片使用。而NAND共用地址和数据总线，需要额外联; |' o% v& X1 Z4 A5 p" {' D c
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结一些控制的输入输出，所以直接将NAND芯片做启动芯片比较难。 % L* B+ k9 y) f2 Y, r3 n
; Q8 B( [+ m% k 4) N AN D闪存芯片因为共用地址和数据总线的原因，不允许对一个字节甚至一个块进行的数据清
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空，只能对一个固定大小的区域进行清零操作；而NOR芯片可以对字进行操作。所以在处理小数据6 L( n9 L" e0 t+ i
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量的I/O操作的时候的速度要快与NAND的速度。比如一块NOR芯片通 常写一个字需要10微秒，那么* ~1 p- C; w1 v
2 p% e! t9 N5 Q! N( z0 g8 s在32位总线上写512字节需要1280毫秒；而NAND闪存写512字节需要的时间包括：512×每字节50纳
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秒+10微秒的寻页时间+200微秒的片擦写时间＝234微秒。 / R0 C* }( f6 T* ]. B1 H* O4 q
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5）NAND闪存的容量比较大，目前最大容量己经达到8G字节。为了方便管理，NAND的存储空间使用; L8 y' b: z8 s' v X. T
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了块和页两级存储体系，也就是说闪存的存储空间是二维的，比如K9F5608UOA闪存块的大小为16K
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，每页的大小是512字节，每页还16字节空闲区用来存放错误校验码空间(有时也称为out-of-band
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0 _7 L& J0 m' L: D，OOB空间)；在进行写操作的时候NAND闪存每次将一个字节的数据放入内部的缓存区，然后再发出, R5 h4 ~# Y) L6 U$ B9 Z# O
" b9 P1 \3 Q+ k5 r3 O' e d“写指令”进行写操作。由于对NAND闪存的操作都是以块和页为单位的，所以在向NAND闪存进行大9 m6 \$ y0 I- S, E
% x) ]! Y+ a; W G! I量数据的读写时，NAND的速度要快于NOR闪存。 8 _7 U2 D, {, ?
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6）NOR闪存的可靠性要高于NAND闪存，这主要是因为NOR型闪存的接口简单，数据操作少，位交换
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操作少，因此可靠性高，极少出现坏区块，因而一般用在对可靠性要求高的地方。相反的，NAND型& |& P% }0 i1 E$ h. p
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闪存接口和操作均相对复杂，位交换操作也很多，关键性数据更是需安错误探测/错误更正1 e/ Y# s1 n, \" Y
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〔EDC/ECC)算法来确保数据的完整性，因此出现问题的几率要大得多，坏区块也是不可避免的，而6 v! }: x9 X1 n8 g; b+ l) j
% l1 [$ d) i/ n5 R3 B, \且由于坏区块是随机分布的，连纠错也无法做到。 7 ^. |! k) O( q# o2 Z
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7）NAND Flash一般地址线和数据线共用，对读写速度有一定影响；而NOR Flash闪存数据线和地
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址线分开，所以相对而言读写速度快一些。
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NAND和NOR芯片的共性首先表现在向芯片中写数据必须先将芯片中对应的内容清空，然后再写入，5 r& X8 j& P0 c: e
2 E- x& u: K& Y& v* M也就是通常说的“先擦后写”。只不过NOR芯片只用擦写一个字，而NAND需要擦写整个块。其次，
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! T6 c F6 v. i( s: z闪存擦写的次数都是有限的.当闪存的使用接近使用寿命的时候，经常会出现写操作失败；到达使
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5 @3 i( P- u/ z7 y+ L" D用寿命时，闪存内部存放的数据虽然可以读，但是不能再进行写操作了所以为了防止上面问题的发
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0 i$ x( v; q; V6 a, x& A生，不能对某个特定的区域反复进行写操作。通常NAND的可擦写次数高于NOR芯片，但是由于NAND
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通常是整块擦写，块内的页面中如果有一位失效整个块就会失效，而且由于擦写过程复杂，失败的
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9 Z% B3 @$ ~& H9 i' c概率相对较高，所以从整体上来说NOR的寿命较长。 , r; m3 Y$ m2 Z s5 ^
5 A j+ f k5 D7 B 另一个共性是闪存的读写操作不仅仅是一个物理操作，实际上在闪存上存放数据必须使用算法实! x3 ^9 j t/ v& B& s8 S
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现，这个模块一般在驱动程序的MTD' (Memory Technology Drivers)模块中或者在FTLZ (Flash
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$ q- o# F5 }3 Z1 S" v8 K' KTranslation Layer)层内实现，具体算法和芯片的生产厂商以及芯片型号有关系。 ; J1 X4 E! r5 Z5 j0 v& {9 \# s( @
从使用角度来看，NOR闪存与NAND闪存是各有特点的：（1）NOR的存储密度低，所以存储一个字节
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# w$ k" o& ~" ^& {* J6 \9 ]: ^的成本也较高，而NAND闪存的存储密度和存储容量均比较高；（2）NAND型闪存在擦、写文件（特
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别是连续的大文件）时速度非常快，非常适用于顺序读取的场合，而NOR的读取速度很快，在随机
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/ Z% v2 ?- g/ O- n- F$ p4 ], w存取的应用中有良好的表现。 NOR与NAND各有所长，但两种优势无法在一个芯片上& \& D* O, `4 f& C2 Y
9 v) |+ |! @8 Y; [- S# S, C得到体现。所以，设计人员在选用芯片时，只能趋其利而避其害，依照使用目的和主要功能在两者6 T2 u- n6 r" u B
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之间进行适当的选择。8 `5 K( b2 }. ?3 @ n; P m
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更多交流：何工电话18925218907,QQ2859780203. V# z9 |) z0 v& C5 N4 e6 p
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发表于 2014-10-22 10:15
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