惠普报告忆阻器取得突破进展

不会游泳鱼

《纽约时报》报道，惠普科学家周四报告他们在忆阻器设计上取得了重大突破。忆阻器是加州大学伯克利分校电机工程和计算机科学系蔡少棠教授于1971提出的、在2008年被惠普科学家确认存在的一种有记忆功能的非线性电阻器。

去年惠普研究人员在《美国国家科学院学报》上报告(开放获取)，他们设计出一种方法，能从三维忆阻器阵列中存储和检索信息。新的方案允许设计人员以类似摩天大楼的建筑风格堆叠成千上万的开关，创造出逼近极限的超致密计算设备。根据发表在最新一期《自然》杂志上的报告，惠普科学家发现记忆电阻器可进行一类基础逻辑运算，可用于数据处理和存储应用。

以下内容摘选自wikipedia.org:

忆阻器（memristor），又名记忆电阻，是一种被动电子元件。忆阻器被认为是电路的第四种基本元件，仅次于电阻器、电容器及电感元件。
物理理论:
在忆阻器中，磁通量（ΦB）受到累积的电荷（q）所影响。磁通量按电荷的改变率称之为“忆阻值”：


故此忆阻值可以与其余三种基本的电子元件作出比较：

• 电阻：
• 电感：
• 电容：

当中q是电荷；I是电流；V是电压；而ΦB则是磁通量。
根据法拉第电磁感应定律及复合函数求导法则，可见忆阻器的电压V是与电流I及忆阻值的积有关：


由此可见，忆阻器可以成为一个电阻器。但是“电阻”的M(q)会随累积的电荷而改变。忆阻值可以说是随流经忆阻器的电流历史所改变，彷如在电容器的电压一般。

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2009旧闻:
http://news.tsinghua.edu.cn/new/news.php?id=20123

ramboli

小强门 的主角？

不会游泳鱼

是的..
忘记那小强吧, 这是革命性的东西, 可以发展到什么高度现在还不好说.